بررسی روش های پایشگری ضخامت لایه های نانومتری اپتیکی و بهینه سازی پایشگری در دستگاه لایه نشانی موجود
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان
- نویسنده زهره خسروی
- استاد راهنما حمیدرضا فلاح مجتبی مستجاب الدعواتی مرتضی حاجی محمودزاده
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1388
چکیده
درفصل اول مختصری از تاریخچه و کاربرد لایه های نازک آمده است و به هدف تحقیق و اهمیت آن اشاره شده است. فصل دوم نگاهی به روش های فیزیکی لایه نشانی لایه های نازک دارد. سپس به روش های اندازه گیری ضخامت لایه های نازک توجه کردیم. این اندازه گیری ها به دو روش اپتیکی و غیر اپتیکی امکان پذیر است. از روش های نوری دقیق متداول برای اندازه گیری ضخامت لایه های نازک، روش اپتیکی با استفاده از الگوهای تداخلی است. چنانچه نوری تک رنگ توسط لایه نازک گوه ای شکل از هوا تداخل کند، نوارهای تاریک و روشن مشاهده خواهد شد. برای لایه ای که ضخامت آن یکسان نباشد نوارها، شکلی غیر یکنواخت خواهند داشت. این روش به عنوان روش استاندارد و دقیق در محاسبه ضخامت لایه های نازک به-کار گرفته می شود. روش های تداخلی که از سهولت و دقت بالایی برخوردارند، بیشتر مورد توجه ما بوده است. این مباحث موضوع فصل سوم تحقیق را تشکیل می دهند. در فصل چهارم به آزمایش های مختلف، نحوه انجام آن ها و ثبت تصاویر و محاسبات کامپیوتری پرداختیم. تصاویر تهیه شده از نمونه ها و نتیجه اندازه گیری ها توسط میکروسکوپ الکترونی تونلی را در این فصل آورده ایم. در فصل پنجم روشی جدید و دقیق با عنوان "روش همبستگی" ارائه نمودیم که صحت و دقت آن قابل توجه است. با تهیه فریزهای فیزو از پله لایه نشانی شده، اندازه گیری ها را با دو روش "میانگین" و "همبستگی" انجام و مقایسه نمودیم. روش همبستگی همراه با مزیت بیشتر و دقت بسیار خوبی قادر به اندازه گیری ضخامت لایه های نازک در ابعاد نانومتری است. نتایج نهایی را در انتهای تحقیق آورده ایم.
منابع مشابه
بهینه سازی بهره اپتیکی در لایه های نازک دیودهای لیزری چاه کوانتومی
Advanced diode laser consists of a two dimensional thin layer which is about 10 nanometers size. Optical gain of thin layers has a great deal of importance in light amplification. Thin layers cause a modification in conduction and valance bands of bulk materials. · Subbands have been computed through effective mass equations. As a result of this method, particular effective masses are avai...
متن کاملتأثیر زمان لایه نشانی بر خواص ساختاری و فیزیکی پوشش های کربنی لایه نشانی شده با روش کندوپاش مگنترونی
متن کامل
تاثیر ضخامت و آلایش- f در بهینه سازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک رسانای شفاف fto(sno2:f)
در این پژوهش لایه های نازک رسانا و شفاف fto را به روش اسپری بر روی زیرلایه های شیشه لایه نشانی کرده ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه ها) و نسبت آلایش f را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر sem مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج optics ocean و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول (ضخامت لای...
متن کاملبررسی اثر زمان لایه نشانی بر خواص فیزیکی لایه های نازک N:ZnO
در این تحقیق لایههای نازک N:ZnO روی زیر لایه شیشه با استفاده از کندوپاش DC در فشار کاری Torr 2-10×2 در مخلوط گازهای آرگون و نیتروژن لایه نشانی شدند. ضخامت، ریختشناسی، ساختار کریستالی و خواص اپتیکی لایهها در سه زمان کندوپاش مختلف شناسایی شدند. با افزایش زمان لایه نشانی، ضخامت لایهها، زبری سطح و ارتفاع دانهها افزایش مییابد. لایهها دارای بافت قوی کریستالی در راستای (002) با ساختار هگزاگونال...
متن کاملبررسی عوامل موثر بر ویژگی های لایه های نازک اپتیکی نانومتری انباشت شده به روش تبخیر حرارتی با دستگاه موجود
چکیده ندارد.
15 صفحه اولمروری بر روش مدلسازی لایه نشانی همجوش
در بازار رقابتی امروز، کاهش مدت زمان توسعه و ساخت محصول از طراحی تا تولید، رمز موفقیت سازمانهای تولیدی بهشمار میرود. از این رو، استفاده از روشهای نمونهسازی و تولید سریع با شتاب رو به رشد است. مطالعات متعدد درباره ساخت، بررسی و معرفی متغیرهای اثرگذار بر خواص مکانیکی قطعات تولید شده با روش مدلسازی لایهنشانی همجوش رشتههای پلیمری انجام شده که از روشهای متداول در حوزه نمونهسازی سریع است....
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023